Solid-State-Disk (SSD) im M.2 Format

1TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, SSD-Leistung: 600TB, interner Datendurchsatz: 3.500MBps (lesen)/ 2.700MBps (schreiben), 4KB Random Read: 15.000IOPS, 4KB Random Write: 55.000IOPS, max. 4KB Random Write: 500.000IOPS, max 4KB Random Read: 500.000IOPS, 60 Monate Herstellergarantie

500GB Solid-State-Disk, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 512MB Puffer, Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 3200 MBps (schreiben), 4 KB Random Read: 19.000IOPS, 4 KB Random Write: 60.000IOPS, 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie.

1TB Solid-State-Disk, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 1GB Puffer, Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (schreiben), 4 KB Random Read: 19.000IOPS, 4 KB Random Write: 60.000IOPS, 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie

2TB Solid-State-Disk, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 2GB Puffer, Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (schreiben), 4KB Random Read: 19.000IOPS, 4KB Random Write: 60.000IOPS, max. 4KB Random Write: 560.000IOPS, max. 4KB Random Read: 620.000 IOPS, unterstützte Verschlüsseldungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie

250GB Solid-State-Disk, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 1GB Puffer, Interner Datendurchsatz: 3.500MBps (lesen)/ 2.300MBps (schreiben), 4KB Random Read: 17.000IOPS, 4KB Random Write: 60.000IOPS, max. 4KB Random Write: 550.000IOPS, max. 4 KB Random Read: 250.000IOPS, unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T., SSD Leistung: 150TB, 60 Monate Herstellergarantie.

512GB Solid-State-Disk, M.2 2280, PCIe 3.0 x4 (NVMe 1.1), SSD-Leistung: 600TB, interner Datendurchsatz: 3.500MBps (lesen)/ 2.300 MBps (schreiben), max. 4KB Random Write: 500.000IOPS, max. 4KB Random Read: 370.000IOPS, unterstützte Verschlüsseldungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, Microsoft eDrive-kompatibel, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperaturüberwchung, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller , 60 Monate Herstellergarantie.

1TB Solid-State-Disk (SSD), intern, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 256-Bit-AES verschlüsselt, Smart Response Technology, End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, SSD-Leistung: 200TB, interner Datendurchsatz: 1.800 MBps (lesen)/ 1.800 MBps (schreiben), 4KB Random Read: 150.000IOPS, 4KB Random Write: 220.000IOPS, 60 Monate Bring-In Herstellergarantie

512GB Solid-State-Disk (SSD), intern, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 256-Bit-AES verschlüsselt, Smart Response Technology, End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, SSD-Leistung: 100TB, interner Datendurchsatz: 1.500 MBps (lesen)/ 1.000 MBps (schreiben), 4KB Random Read: 90.000IOPS, 4KB Random Write: 220.000IOPS, 60 Monate Bring-In Herstellergarantie