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Solid-State-Disk (SSD) im M.2 Format

M.2 bezeichnet einen Formfaktor für PCI-Express-Schnitttstellen-Steckkarten, welche in der Regel mit der Angabe über die Länge und Breite den Platzbedarf für die jeweilige M.2 Karte definiert.

Häufig genutzt werden dabei die Formfaktoren 2242, 2260, 2280 und 22110, wobei dies die Baulänge der M.2 Karte ist.

Samsung PM9A3 Enterprise SSD - 3.840GB - M.2 NVMe

3.840GB Solid-State-Disk (SSD), V6 TLC NAND, intern, M.2 (22110), PCI Express 4.0 x4 (NVMe), 1DWPD, 7.008TB SSD-Leistung, interner Datendurchsatz: 5.500MBps (lesen)/ 2.000MBps (schreiben), 4KB Random Read: 800.000IOPS, 4KB Random Write: 85.000IOPS, MTBF: 2.000.000 Stunden, RoHS, 60 Monate Herstellergarantie

1.446,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

SAMSUNG 990 PRO SSD 1TB NVMe M.2

1TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, SSD-Leistung: 600TB, interner Datendurchsatz: 7.450MBps (lesen)/ 6.000MBps (schreiben), max 4KB Random Read: 1.200.000IOPS, max 4KB Random Write: 1.550.000IOPS, TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0, 60 Monate Herstellergarantie

187,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

SAMSUNG 990 PRO SSD 2TB NVMe M.2

2TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, SSD-Leistung: 1.200TB, interner Datendurchsatz: 7.450MBps (lesen)/ 6.000MBps (schreiben), max 4KB Random Read: 1.400.000IOPS, max 4KB Random Write: 1.550.000IOPS, TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0, 60 Monate Herstellergarantie

287,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

SAMSUNG 990 PRO SSD 4TB NVMe M.2

4TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, SSD-Leistung: 1.200TB, interner Datendurchsatz: 7.450MBps (lesen)/ 6.900MBps (schreiben), max 4KB Random Read: 1.600.000IOPS, max 4KB Random Write: 1.550.000IOPS, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie

492,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

SAMSUNG 990 EVO SSD 1TB NVMe M.2

1TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCIe® 4.0 x4 und PCIe® 5.0 x2 (NVMe), TLC (Triple-Level Cell), interner Datendurchsatz: 5.000MBps (lesen)/ 4.200MBps (schreiben), max 4KB Random Read: 800.000IOPS, max 4KB Random Write: 680.000IOPS, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie

91,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

SAMSUNG 990 EVO SSD 2TB NVMe M.2

2TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCIe® 4.0 x4 und PCIe® 5.0 x2 (NVMe), TLC (Triple-Level Cell), interner Datendurchsatz: 5.000MBps (lesen)/ 4.200MBps (schreiben), max. 4KB Random Read: 800.000 IOPS, max. 4KB Random Write:700.000 IOPS, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, S.M.A.R.T., 60 Monate Herstellergarantie

189,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

WD Black SN750 - 1TB NVMe M.2

1TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), SSD-Leistung: 600TB, interner Datendurchsatz: 3.470MBps (lesen)/ 3.000MBps (schreiben), max. 4KB Random Write: 560.000 IOPS, max 4KB Random Read: 515000 IOPS, MTBF: 1.750.000 Stunden, RoHS, 60 Monate limitierte Herstellergarantie

96,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

Samsung 9100 PRO SSD 1TB NVMe M.2

1TB Solid-State-Disk, intern, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), unterstützte Verschlüsselungen: 256-Bit-AES und TCG Opal Encryption 2.0, SSD-Leistung: 600TB, interner Datendurchsatz: 14.700MBps (lesen)/ 13.300MBps (schreiben), max 4KB Random Read: 2.600.000IOPS, max 4KB Random Write: 1.850.000IOPS, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, kompatibel mit PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T., 60 Monate limitierte Herstellergarantie

195,00 EUR

zzgl. 19% MwSt.

25 bis 32 (von insgesamt 34)


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